磁控溅射的作业原理是指电子在电场E的效果下,在飞向基片过程中与氩原子发生磕碰,使其电离发生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场效果下加快飞向阴极靶,并以高能量炮击靶外表,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子堆积在基片上构成薄膜,而发生的二次电子会遭到电场和磁场效果,发生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨道近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线方式在靶外表做圆周运动,它们的运动途径不只很长,并且被捆绑在接近靶外表的等离子体区域内,并且在该区域中电离出很多的Ar 来炮击靶材,以此来完成了高的堆积速率。跟着磕碰次数的添加,二次电子的能量消耗殆尽,逐步远离靶外表,并在电场E的效果下zui终堆积在基片上。因为该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
可镀资料: 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等

与市场上现有的镀膜仪比较结构严密相连,体积细巧,可放置与桌面,现在市场上的仪器体积都相对巨大,占空间。集成度高
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